多层铜布线CMP工艺的优化研究

摘要：

集成电路多层铜布线平坦化中,CMP工艺参数的配置是决定抛光表面状态和平坦化程度的重要因素.本文研究了碱性介质下铜CMP机理,深入分析了CMP系统中影响抛光表面状态的诸多工艺因素.在此基础上设计了多层铜布线CMP工艺的优化实验,有效地解决了划伤,蚀坑等表面缺陷问题,实验测定表面粗糙度数据较为理想,获得了良好的实验效果.

关键词：化学机械抛光、表面状态、表面粗糙度

所属期刊栏目：24

分类号：TM201(电工材料)

资助基金：北华航天工业学院科研基金项目KY-2010-08

在线出版日期：2014-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：7-9