退火对GaAs晶体电学性能的影响

摘要：

本文简述了退火对GaAs电学性质的影响.通过对退火前后电阻率、迁移率、位错密度的变化,进一步分析了变化形成的原因、机理及对器件性能的影响.指出如能很好利用这种变化,对提高器件性能有很大意义.

关键词：GaAs、退火、电阻率、迁移率、位错密度

所属期刊栏目：16

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2006-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：27-28