多层模型计算椭偏法测量的SiO2/Si超薄膜厚度

摘要：

采用不同的光学模型对厚度为6nm,密度为2.2 g/cm3的理想SiO2薄膜理论曲线进行了拟合,得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律:选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果,其趋势近似线性.参考GIXRR方法测量得到的薄膜物理结构的结果,给出了优化的拟合计算模型(薄膜密度为2.4 g/cm3、表面粗糙度为0.4nm、界面粗糙度为0.3 nm),对于热氧化法制备的厚度小于10 nm的SiO2超薄膜,使用此模型进行拟合计算,可以得到比常规模型更为准确的厚度结果.采用优化的模型拟合了期望厚度为2,4,6,8,10 nm的SiO2超薄膜的SE实验曲线,得到的厚度结果分别为2.61,4.07,6.02,7.41,9.43 nm,与传统模型计算结果相比,分别降低了13.8％,10.3％,8.1％,7.3％和6.6％.

关键词：SiO2/Si超薄膜、多层模型、椭偏法、X射线全反射、热氧比法

所属期刊栏目：26

分类号：O751(非晶态和类晶态)

在线出版日期：2012-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：388-392