基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试

摘要：

利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.

关键词：MESFET、GaAs、灵敏度、线性度、微加速度计

所属期刊栏目：24

分类号：TN304;TP386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点资助项目50730009

在线出版日期：2010-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：405-409