不同射频溅射功率下直接制备Ca2Si薄膜

摘要：

磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2Si薄膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指出,在多相共生的Ca-Si化合物中,沉积Ca薄膜时的射频溅射功率影响了立方相Ca2Si薄膜的质量;最优化的溅射功率是85 W.另外,退火温度为800℃时,有利于单一相Ca2Si的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.

关键词：Ca2Si、射频溅射、形核、退火、半导体硅化物

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：National Natural Science Foundation of China60766002;the Foundation of Science Technology Department of Guizhou Province20072177;the Key Foundation of Education Department of Guizhou2006212.The specific Foundation of the High-level Talents of Guizhou Province

在线出版日期：2009-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：402-406