GaAs结构在单轴加压下的光致发光特性测试

摘要：

研究了一种GaAs层结构在[110]方向外部单轴应力下基于光致发光(PL)谱的测试方法.层结构的应力由螺旋测微器施加,可以产生平面内的压(拉)应力和应变,大小可以由胡克定律算出.随着应力的增大,观察到了谱峰明显的蓝移.在一系列的加压后,在 1.432 eV,有一个新的峰出现在原有的峰的肩部附近,随着压力增加,两个峰逐渐分开.同时 PL 峰的半峰宽随着应力增加而逐渐加大.最后,本文根据实验结果分析了静水和单轴应力的不同.

关键词：砷化镓、单轴应力、光致发光、蓝移、峰裂

所属期刊栏目：20

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2006-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：435-438