10.3969/j.issn.1671-7449.2002.z2.043
应变多量子阱中内建电场的温度响应
目的研究应变多量子阱中内建电场对温度的响应,探索其温度传感特件.方法针对沿任意方向生长的应变多量子阱材料,讨论应变随着温度的变化关系,进一步讨论内建电场随着温度的变化规律.结果与结论针对ZnSe/GaAs材料组合的应变多量子阱利料,给出了内建电场随温度的变化曲线图.在定范围内,内建电场随着温度呈近似线性关系.
应变多量子阱、内建电场、温度响应
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TM93
山西省留学回国人员科研项目;总装备部资助项目;武器装备预研基金
2005-12-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
993-998