硅基MEMS技术

摘要：

本文结合MEMS技术的发展历史,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向.指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力,以及三维加工.SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是MEMS研究的重要手段.

机标关键词：硅基、加工技术、牺牲层技术、体硅工艺、集成化方向、标准化加工、三维加工、刻蚀技术、工艺发展、发展主线、表面、质量块、低应力、组合、历史、键合、多层

所属期刊栏目：16

分类号：TM93

在线出版日期：2005-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：933-936