后续处理对SrTiO3基晶界层电容器绝缘电阻的影响

摘要：

采用二步法制备SrTiO3晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃ 条件下对SrTiO3晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ 上升至200 GΩ.通过处理,最后可获得平均介电常数为30000,损耗为0.003,绝缘电阻(50 V测量)为200 GΩ 的高性能SrTiO3晶界层电容器.

关键词：SrTiO3晶界层电容器、介电性能、后续热电处理、绝缘电阻

所属期刊栏目：43

分类号：TQ174.75

资助基金：国家自然科学基金;贵州省经济和信息化委员会技术创新项目

在线出版日期：2021-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：289-294