Pb掺杂的一维铁磁半导体CrSbSe3的电磁性能研究

摘要：

采用自助熔剂法生长高质量准一维CrSbSe3单晶材料,研究Pb掺杂对产物晶体结构和电磁特性的影响.结果表明,实验所得产物是正交结构的一维针状铁磁单晶材料.由于杂质能级随温度升高而激发,通过少量Pb掺杂可在100～300 K温度范围内对单晶的电阻率进行显著调控.同时,掺杂后的单晶在磁场平行晶轴b方向和垂直晶轴b方向的饱和磁矩和饱和磁化强度均得到提升,显示出晶体在磁学中的各向异性.

关键词：单晶、CrSbSe3、电阻率、饱和磁矩

所属期刊栏目：42

分类号：O731(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金51972102,51772035

在线出版日期：2020-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：681-686