电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系

摘要：

理论上, SrTiO3 (以下简称STO) 晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现, 金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明, 当电极/STO为非欧姆接触时, STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时, STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时, 通过调整烧制Ag电极的温度和时间, 当T=880℃, t=3. 5 h时, STO电容器的介电性能达到最佳, εr=22 850, tgδ=1. 0％.

关键词：SrTiO3、晶界层电容、介电性能、电极/半导体界面接触、欧姆接触

所属期刊栏目：41

分类号：TQ174.75

资助基金：国家自然科学基金;贵州省经济;创新项目

在线出版日期：2019-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：132-136