缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

摘要：

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125％占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5％占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5％占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.

关键词：氮化镓、分子动力学、二次外延、缺陷

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.02(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51407066;湖南省自然科学基金13JJ6066;湖南省教育厅科学研究基金14A062.16C0716

在线出版日期：2018-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：534-538