稀土掺杂对BSPT压电陶瓷的性能影响

摘要：

在0.36 BiScO3-0.64 PbTiO3(BSPT64)系压电陶瓷中,掺入适量稀土元素氧化物(Tm2O3、Sm2O3),采用固相烧结工艺制备出性能得到改善的高居里温度压电陶瓷. XRD图谱表明少量稀土掺杂不影响材料晶体结构,SEM图样表明稀土掺杂对晶粒尺寸有影响,Tm2O3和Sm2O3可促进晶粒生长,提高材料致密度.适量的稀土氧化物掺杂可调节陶瓷性能,当掺入 Sm2O3的质量分数达到0. 100%时,材料的相对介电常数 εT33/ε0=2 199;当掺入 Tm2O3的质量分数达到0. 075%时,压电应变常数d33=480 pC/N.

关键词：压电陶瓷、BSPT、稀土掺杂

所属期刊栏目：40

分类号：TN384(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51472079

在线出版日期：2018-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：344-347