晶界偏析对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

摘要：

采用溶胶凝胶法制备CaCu3Ti4O12,通过球磨对陶瓷样品进行处理,探究此处理方法对CaCu3Ti4O12介电性能的影响.研究结果表明,球磨对CaCu3Ti4O12陶瓷样品的介电常数有较大影响.随着球磨时间的增加,样品介电常数显著增加,当球磨时间为4 h,其室温下介电常数可达106量级,比未经球磨处理的样品高2个数量级,且随温度升高,介电常数显著增大.温度上升100 K,介电常数约提高一个数量级.同时SEM分析表明,球磨处理CaCu3Ti4O12样品介电常数的增大与其晶界偏析有较大的关系,特别是晶界处析出的CuO二次相可极大地提升CaCu3Ti4O12的极化率,可提高约2个数量级.

关键词：CaCu3Ti4O12、球磨、介电性能、晶界偏析

所属期刊栏目：40

分类号：TM283(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金11674086,51402094

在线出版日期：2018-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：73-78