高质量外延VO2薄膜制备及其金属-绝缘体相变特性研究

摘要：

采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600℃,通过改变生长氧压制备VO2薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪测试,系统研究生长氧压对VO2薄膜晶体结构、表面形貌、金属-绝缘体相变(MIT)特性的影响.实验结果表明:生长氧压1.2Pa时,薄膜(020)晶面摇摆曲线半高宽低至0.061°,结晶质量高;薄膜表面平整光滑;薄膜相变温度接近68℃,金属-绝缘体转变特性显著,电阻率有4个数量级变化.

关键词：VO2、金属-绝缘体相变(MIT)、脉冲激光沉积(PLD)、外延薄膜

所属期刊栏目：39

分类号：O484.1;TQ135(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51572073,61274010,11574074;湖北省自然科学基金2015CFA038,2015CFB265,2016AAA031

在线出版日期：2017-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：217-221