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10.3969/j.issn.1000-2375.2017.01.007

NaBiTi6 O14电子陶瓷的制备与阻抗分析

引用
采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD衍射分析测得样品的相组成,通过阻抗谱测试样品的阻抗Z?,利用阻抗谱LCR方法测试得出材料的介电常数εr、介电损耗tanδ与温度和频率的关系;通过计算得出NaBiTi6 O14的活化能值.结果表明在950℃预烧、1100℃与1150℃烧结下,介电损耗tanδ为10-2数量级;阻抗谱测试显示的两组样品的Z?图,实部的最大值都大于104Ω,由Z?图计算所得的活化能均大于1 eV.结果显示,NaBiTi6 O14是一种适合于高温高频的介质材料.

NBT、NaBiTi6 O14、介电常数、介电损耗、活化能

39

TM28;TN304.82(电工材料)

湖北省教育厅重点科研项目D2016006

2017-02-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

36-40

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湖北大学学报(自然科学版)

1000-2375

42-1212/N

39

2017,39(1)

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