纳米二氧化硅粒子的改性研究

摘要：

利用傅立叶红外光谱仪、接触角测试仪和Zeta电位测定仪等仪器分别测试未改性和γ?甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（KH570）改性的纳米二氧化硅粒子表面的分子结构、接触角和电荷，分析两者之间的宏观性能和微观分子结构区别，以此判断改性效果；采用TG定量分析纳米二氧化硅（ SiO2）表面偶联剂KH570的接枝率，研究分散液的pH值、偶联剂用量、水用量等工艺条件对接枝率的影响，结果表明：当偶联剂KH570用量在20％二氧化硅质量范围内，随着偶联剂用量增加接枝率不断增大，当超过这个用量后，则由于空间位阻效应导致接枝率变化不明显。

关键词：纳米二氧化硅、硅烷偶联剂KH570、接枝率、工艺配方

所属期刊栏目：38

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51173037，51473047

在线出版日期：2016-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：522-526