V-Ga 共掺 TiO2光伏电池模拟与研究

摘要：

　　基于实验上获得的带隙宽度为1．6 eV的 V-Ga共掺杂 TiO2材料，设计了一种新型pin结构光伏电池．通过Nb：TiO2作为n型重掺杂层，Cu2 O或CuO作为p型掺杂层，建立pn结自建电场．中间层V-Ga：TiO2为主要光吸收层，运用AMPS-1D软件模拟器件性能，研究Cu2 O或CuO材料作为p型层对光伏性能的影响．模拟结果显示，Cu2 O在这种结构中适合作为p型层，优化后器件光伏转化效率可达到34％．此外，通过对材料中带尾缺陷密度、吸收层与p型层界面对器件性能影响的研究，为器件制备中可能存在的问题提供解决思路．

关键词：AMPS-1D、pin光伏电池、V-Ga共掺TiO2、光伏特性

分类号：TO472.8

资助基金：教育部科学技术研究重点项目211108;武汉市科技攻关项目201110821251;湖北省科技厅研究与开发计划2011BAB032

在线出版日期：2013-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：168-172