10.3969/j.issn.1000-2375.2013.01.021
黄铜矿结构CuInS2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜.XRD分析表明薄膜具有良好的沿(112)方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1.4 eV.
CuInS2、陶瓷、薄膜、脉冲激光沉积
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TM23(电工材料)
国家自然科学基金50972041,61274010,11175062;教育部新世纪优秀人才计划NCET-09-0135;湖北省自然科学基金2008CDB249;武汉市学科带头人计划200951830550
2013-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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