多孔硅吸附性能的量子化学研究

摘要：

用量子化学方法中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平上,采用模型化学方法和Gaussion03程序,计算由不同数目硅原子组成的一维量子线模型和二维网状模型分别吸附氢原子、氧原子、氧分子、硝酸根和高氯酸根的模型进行计算,考察各模型吸附前后的电子状态、能隙、原子电荷、键强等因素,计算结果表明:在吸附有不同原子、分子的多孔硅表面上,表面硅原子与内层硅原子间的化学键均被削弱,对于解释多孔硅的发光和爆炸性质有一定的理论指导意义.

关键词：多孔硅、吸附性能、量子化学、DFT

所属期刊栏目：34

分类号：O641-3(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金10476035;中国工程物理研究院联合基金项目10476035;中央高校基本科研业务费CDJX12220001

在线出版日期：2013-02-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：473-477