掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究

摘要：

采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104 Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.

关键词：Ni掺杂AlN、稀磁半导体、射频磁控溅射、室温铁磁性

所属期刊栏目：34

分类号：TM303(电机)

资助基金：湖北省自然科学基金项目2010CDB04601;武汉市科技供需对接计划项目201150124019

在线出版日期：2013-02-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：461-463