基于Mo/SiO2布拉格声反射器的体声波谐振器的制备及其性能分析

摘要：

采用射频反应磁控溅射法在p型(100)单晶硅衬底上交替沉积Mo/SiO2薄膜作为布拉格声学反射层,通过原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM)分别表征声反射层薄膜的表面和截面形貌,研究溅射工艺条件对SiO2薄膜微观形貌的影响.采用MEMS工艺流程制备基于c轴择优取向AlN压电薄膜的SMR型谐振器.并对谐振器的S11参数进行测试分析,得到谐振器的中心频率为1.7 GHz,表明实验所制备的SMR型谐振器在质量传感方面具有一定的应用前景.

关键词：磁控溅射、Mo/SiO2声反射器、SMR型谐振器、AlN薄膜

所属期刊栏目：34

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：湖北省自然科学基金2008CDA018,2010CDB04601

在线出版日期：2012-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：138-141