10.3969/j.issn.1000-2375.2011.04.019
C轴倾斜AlN薄膜的制备研究
采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的AlN压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的AlN薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理.
C轴倾斜、AlN薄膜、两步气压法
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O484.8(固体物理学)
湖北省自然科学基金2008CDA018
2012-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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