BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探

摘要：

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物, 图形轮廓清晰. 原子力显微镜 (AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600 ℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列.

关键词：钛酸锶钡、湿法化学刻蚀、溶胶凝胶法、工艺优化、应用

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分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目50672022;湖北省耐火材料与高温陶瓷重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地项目G0701

在线出版日期：2011-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：418-421