RuO2/Pt复合电极对BST梯度薄膜介电性能的影响

摘要：

采用直流磁控溅射方法在Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备RuO2/Pt复合电极,研究在复合电极上沉积的BST薄膜的微观结构及其对BST梯度薄膜电学性能的影响.实验结果表明:沉积在RuO2/Pt复合电极上的BST梯度薄膜在测试频率为100 kHz时,介电常数为324.8,介电损耗为0.018 9;在75 kV/cm外电场下漏电流密度为1.29×10-6 A/cm2;在Pt电极和RuO2/Pt复合电极上分别制备的BST薄膜的介电损耗和漏电流基本上相似,没有太大的区别.但在375 kV/cm外电场下RuO2/Pt复合电极上沉积的BST的介电调谐率为31.2%,比直接沉积在Pt上的BST的介电调谐率高7.4%,显示出较好的C-V特性.

关键词：复合电极、BST薄膜、磁控溅射、介电性、漏电流密度

所属期刊栏目：30

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：381-383,387