MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究

摘要：

探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.

关键词：微机电系统、湿法刻蚀、深度刻蚀、刻蚀速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：29

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：湖北省武汉市科技攻关项目20061002073

在线出版日期：2007-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：255-257