基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器

摘要：

以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.

关键词：薄膜体声波谐振器、氮化铝、择优取向、空腔

所属期刊栏目：29

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：湖北省武汉市科技攻关项目20061002073;国家自然科学基金50572026

在线出版日期：2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：153-155