10.3969/j.issn.1000-2375.2006.04.013
Mg掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质
采用磁控溅射方法在硅和石英衬底上制备了纯ZnO和Mg0.04Zn0.96O薄膜.用XRD和AFM表征薄膜的晶化行为和显微结构,用透射谱和光致发光谱分析薄膜的光学性质.分析结果显示:两种薄膜均为六角纤锌矿结构,且沿c轴取向,薄膜表面光滑致密,晶粒分布均匀;薄膜在可见光范围内具有较高的透过率,Mg掺杂后透射谱吸收边向高能侧移动,相应的薄膜的带隙宽度从3.28 eV升至3.36 eV;用包络法计算出薄膜的光学常数表明,Mg掺杂没有明显改变薄膜的折射率,但使消光系数明显增大;薄膜的光致发光谱分析也发现,掺入Mg使带边发射峰蓝移.
ZnO薄膜、Mg掺杂、光学常数、带隙
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TN304(半导体技术)
湖北省武汉市青年科技晨光计划20015005032
2007-01-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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371-374