10.3969/j.issn.1000-2375.2006.03.012
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.
分子束外延、InGaP/GaAs、X-Ray、光荧光、霍尔测量
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O472(半导体物理学)
湖北省重点实验室基金
2006-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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