10.3969/j.issn.1000-2375.2002.03.012
应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜
采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究.结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法.
磁控溅射、氧化锌薄膜、声表面波、退火
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TN304.055(半导体技术)
湖北省武汉市青年科技晨光计划20015005032
2004-02-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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