BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究

摘要：

应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜.应用复阻抗谱和模量谱技术研究了BST薄膜的介电响应,实验结果表明:BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆,且阻抗谱半圆存在压低现象,而与此对应,复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值,表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为,而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略.交直流电导分析结果表明,BST薄膜的交直流电导激活能分别为93.5 kJ/mol和100.3 kJ/mol,BST薄膜存在这一激活能数值的主要原因是薄膜中氧空位的迁移引起的.

关键词：BST薄膜、阻抗谱、介电响应、激活能

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：湖北省教育厅科研项目2001Z01007

在线出版日期：2004-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：38-42