10.3969/j.issn.1000-2375.2001.04.013
退火工艺对BST薄膜电学性能的影响
应用RF平面磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si(100)衬底上沉积BST薄膜,研究了退火气氛与退火工艺对BST薄膜电学性能的影响.实验发现,退火有利于提高薄膜的结晶度,且薄膜的折射率、介电常数和漏电流特性等性能与薄膜的退火工艺密切相关,和N2气氛中退火的BST薄膜相比,O2气氛退火的BST薄膜具有较大的介电常数和较小的漏电流,可满足DRAMs器件应用的要求.
BST、退火、氧空位、漏电流
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TN304.055(半导体技术)
2004-02-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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