准分子激光沉积(Ba1-xSrx)TiO3铁电薄膜

摘要：

通过准分子(308mm)激光将(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(100)基片上.随着沉积温度的增加,BST薄膜的结晶性显著提高.在600 ℃附近沉积的BST薄膜(400 nm)有良好的结晶性,介电常数为300,损耗因子为0.015,漏电流密度达到2×10-10 A/cm2,电荷存储密度QC为35 fC/μm2(外电场12.5 kV/cm).研究了MFS结构的C-V特性和I-V特性,BST/Si之间存在很好的界面,表现出良好的电性能.

关键词：(Ba1-xSrx)TiO3薄膜、DRAM、准分子激光、介电常数

所属期刊栏目：22

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：华中理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：150-153