Si(001)-(2×2×1):H表面弛豫研究

摘要：

目的 研究Si(001)-(2×2×1):H表面的几何结构和电子特性.方法 在周期边界条件下,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对Si(001)-(2×2×1):H表面结构进行了弛豫计算并对该表面进行电子结构分析.结果 结果表明弛豫作用使得部分电子从第一层硅原子转移到了第二层硅原子上,从而导致表层硅呈现正电性.结论 这样的电子结构特性将有助于负电性强的氧气分子在硅氢表面的吸附. 弛豫后的Si(001)-(2×2×1):H表面的能带结构具有半导体材料的特征.

关键词：Si(001)-(2×2×1):H、表面弛豫、密度泛函理论(DFT)

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

资助基金：河北北方学院科研资助项目200706

在线出版日期：2008-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-13,21