直流电沉积钴纳米线的生长取向控制

摘要：

目的 通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向,以制备磁性能良好的一维钴纳米线.方法 利用制备出的带有高度有序性纳米孔的氧化铝模板,通过直流恒电流电化学沉积方法,调节沉积电流密度的大小,制备出一系列钴纳米线阵列,并利用XRD衍射仪和VSM振动磁强计测量其磁性能,包括矫顽力、剩磁比和各向异性的特点.结果 制备出了包括[101]择优取向、[100]择优取向及非晶态等结构的一维Co纳米线阵列,重点分析了具有[101]择优取向纳米线阵列的特点.结论 总结出了钴纳米线对于[101]晶向的易磁化规律.

关键词：氧化铝模板、沉积电流密度、生长择优取向、形状各向异性、磁晶各向异性

所属期刊栏目：24

分类号：O482.54(固体物理学)

在线出版日期：2008-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：22-27