基于MCNP的HPGe探测器无源效率刻度

摘要：

本文建立了HPGe探测器的MCNP模型,模拟了152Eu标准源主要γ射线全能峰的峰效率,与HPGe探测器的效率刻度实验进行对比分析,依次调整探测器的锗晶体半径、死层厚度和空气间隙,对HPGe探测器的模型参数进行优化.实验结果的对比分析表明,将探测器的晶体半径减少2 mm,探测器死层厚度增加0.1 mm,探测器内部的空气间隙增加4 mm后,模拟结果与实验结果相符,且误差不超过5%.

关键词：HPGe、MCNP、无源效率刻度

所属期刊栏目：19

分类号：TL81(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：76-80