原子层沉积Al2O3钝化对InAs/InGaAsSb Ⅱ类超晶格发光特性的影响

摘要：

提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al2O3薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性.处理后超晶格的As 3d谱中As-O键相关的峰消失表明其表面的氧化物被有效去除.样品的发光强度与激发光功率之间的拟合系数α从1.17减小为1.02,表明激子主导的发光占比增加.连续五天的红外光谱测试发现,处理后样品发光强度降低为原来的89%,而未处理样品的发光强度降低为原来的 76%,表明处理后超晶格表现出更好发光稳定性.本研究为提升InAs/InGaAsSb超晶格性能、促进其光电探测领域的应用提供参考.

关键词：InAs/InGaAsSb超晶格、钝化、Al2O3、原子层沉积、发光特性

所属期刊栏目：53

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2024-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：87-95