窄禁带半导体紫外光电探测研究进展(特邀)

摘要：

紫外光电探测器具有比可见和近红外光电探测器更低的背景噪声、更高的灵敏度和更强的抗干扰能力,广泛应用于光学成像、安全监测、空间探测等领域.近年来,窄禁带半导体微纳结构在紫外甚至日盲紫外探测领域脱颖而出.本文介绍了两类半导体微纳结构(超细纳米线、超薄纳米片)中光吸收特性随材料特征尺寸的变化,揭示了窄禁带半导体应用于紫外探测的工作机理,综述了基于窄禁带半导体微纳结构的紫外光电探测器的研究进展,并对发展趋势进行了展望.与宽禁带半导体和Si基紫外光电探测相比,窄禁带半导体微纳结构提供了一种工艺条件更简单、制造成本更低的紫外光电探测方式.

关键词：光电探测器、紫外、窄禁带半导体、泄漏模式共振、厚度依赖的吸收系数

所属期刊栏目：53

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2024-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：33-43