传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响
研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响.沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加.另一方面,处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流.基于四管有源像素工作过程进行仿真,结果表明,在曝光期间不加负栅压的情况下,基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9％,其暗电流为N+TG的0.377倍.当电荷转移效率大于99.999％时,N+TG的开启电压需高于2.3 V,而P+TG的开启电压需高于3.0 V.
图像传感器、CMOS有源像素、仿真、光电二极管、满阱容量、暗电流、电荷转移效率
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TP212;TN386.4(自动化技术及设备)
2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
296-303
