高压SiC基DSRD器件结构设计及脉冲电路优化
针对SiC漂移阶跃恢复二极管难以满足超快脉冲开关高频、大功率的要求,研究了一种高压SiC漂移阶跃恢复二极管(DSRD)器件,建立了相应物理模型.该高压SiC DSRD基区掺杂浓度为5×1015 cm?3、厚度为18μm,单片耐压超1800 V、开关时间约500 ps.同时,基于高压SiC DSRD器件等效模型,优化电路参数,在负载端分别实现了8.8 kW、开关时间约500 ps的高压(2.2 kV)脉冲.
碳化硅、漂移阶跃恢复二极管、仿真设计、脉冲发生电路、离化波理论
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TN305(半导体技术)
2022-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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