InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响

摘要：

为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输.模拟了a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能影响.由于a-Si的载流子阻挡作用,器件在室温下获得了超低暗电流,且在偏压大于击穿电压后,光暗电流出现电流间隙,这将为超低噪声InGaAs/Si雪崩光电二极管的研制指明方向.

关键词：InGaAs/Si键合、雪崩光电二极管、a-Si键合层、晶格失配、异质键合

所属期刊栏目：51

分类号：TN315(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;福建省自然科学基金;漳州市自然科学基金

在线出版日期：2022-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：172-181