g-C3N4/Bi2S3复合材料宽光谱光电探测器制备及其性能研究

摘要：

通过热聚法制备了g-C3N4和Bi2S3纳米材料,在室温下进一步利用溶液法得到了g-C3N4/Bi2S3复合结构.采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的表面形貌和晶体结构进行了表征,结果表明复合Bi2S3后并没有破坏g-C3N4本身的片层结构,且g-C3N4/Bi2S3复合结构仍然具有较好的结晶质量.基于g-C3N4/Bi2S3复合结构制备了紫外可见光探测器,并对其性能进行了研究.光电探测结果表明g-C3N4/Bi2S3复合结构探测器对紫外光的探测性能显著提高,其最大光电流约为g-C3N4纳米片探测器的12倍.此外,g-C3N4/Bi2S复合结构探测器在可见光区也表现出了较好的光响应特性和稳定性,具有宽光谱响应特性.

关键词：复合结构、紫外探测、可见光探测、g-C3N4、Bi2S3

所属期刊栏目：51

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;黑龙江省自然科学基金

在线出版日期：2022-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：158-164