光折变X射线半导体超快响应芯片空间性能的实验研究

摘要：

利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源,对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究.结果表明,低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120:1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力,最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1,成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm.该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义.

关键词：光折变效应、X射线成像、超快成像、空间分辨率、动态范围

所属期刊栏目：51

分类号：TB872(摄影技术)

资助基金：国家自然科学基金No.51302316

在线出版日期：2022-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：151-157