带间级联激光器电子注入区优化研究(特邀)
带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究.优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚度促进电子向光增益区的注入,在较低的电子注入区掺杂浓度下满足了光增益区电子数和空穴数基本相等的注入平衡条件,降低了有源区中自由载流子吸收和杂质散射造成的光损耗.采用该有源区结构的带间级联激光器实现了较好的室温激射性能,腔长4 mm、脊宽20μm且腔面未镀膜器件的阈值电流为200 mA,单腔面出光功率为55 mW.通过分析2～5 mm不同腔长器件的电压-电流-光功率性能,得到器件的波导损耗仅为3 cm?1,有源区载流子寿命为0.7 ns.
半导体激光器、中红外、分子束外延、带间级联激光器、量子阱、锑化物
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家重点研究发展计划项目;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院战略性先导科技专项
2022-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
92-98
