兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究
利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件,实现3～5μm波段红外信号高效增透,且能屏蔽12～18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构,通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3～5μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率,在周期g为550μm,不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果 表明:通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3～5μm的峰值透射率为99.8％,平均透射率为99.3％.矢量网络分析仪测试金属网栅12～18 GHz频段的电磁屏蔽效能,得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12～18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB,3～5μm红外波段的峰值透射率为86.3％,平均透射率为86.1％.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变(≥27 dB)的前提下,网栅光谱(透射率)提高了37.6％(网栅周期g为550μm,线宽2a为30μm).屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽,也可以选择电阻率较低的基底材料实现.
电磁屏蔽、红外、真空热蒸发、金属网栅、减反膜、透射率、屏蔽效能
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O484(固体物理学)
陕西省国际科技合作与交流计划;陕西省自然科学基础研究计划;西安市智能探视感知重点实验室项目
2020-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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