具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强

摘要：

为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示,在12 nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6,可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率,从而极大的增强空穴注入,光输出功率相较于传统结构提高了53.6％.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案,在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景.

关键词：深紫外LED、AlGaN、氮极性、渐变量子垒、载流子调控

所属期刊栏目：48

分类号：TN312+.8(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：42-53