六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹

摘要：

利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料.实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心.对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量,证实了hBN有助于减少AlN外延层中的裂纹,空气孔隙及应力.研究了V/III生长参数对AlN薄膜表面形貌、晶体质量和应力的影响,得到合适的生长窗口,获得完全无应力的氮化铝外延层,且其位错密度与蓝宝石上生长的氮化铝相当.

关键词：AlN薄膜、六方氮化硼、MOCVD、缺陷、应力

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：The National Key Research and Development Program.2016YFB04000803,2016YFB04000802;the National Natural Sciences Foundation of China.61376047,61527814,61674147,61376090,61204053;Beijing Municipal Science and Technology ProjectD161100002516002;the National High Technology Program of China.2014AA032608,2011AA03A111;the National 1000 Young Talents Program,and Youth Innovation Promotion Association CAS

在线出版日期：2018-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：56-61