基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法
基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.
非成像光学、光学扩展量、光源近场、发光二极管、光学设计
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O432.2;O439(光学)
国家自然科学基金.61475199, 61275061;国家高技术研究发展计划No.2014AA123202资助 The National Natural Science Foundation of China.61475199,61275061;the National High Technology Research and Development Program of China2014AA123202
2017-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
180-185