CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性
为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01～0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为(210);CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570 nm转移到740 nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.
CdS、纳米颗粒、阳极氧化法、电泳法、自支撑多孔硅、光致发光
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TG178.445(金属学与热处理)
国家自然科学基金No.61176062、江苏省前瞻性联合创新项目No.BY2013003-08、江苏高校优势学科建设工程资助项目和中央高校基本科研业务费No.3082015NJ20150024资助;The National Natural Science Foundation of ChinaNo.61176062,the Prospective Joint Innovation Project in Jiangsu ProvinceNo.BY2013003-08,the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions and the Fundamental Research Funds for the Central UniversitiesNo.3082015NJ20150024
2016-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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