硅-有机物材料混合电光调制器的优化设计
设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220 nm的绝缘上层硅基片上的3 dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106 dB.为提高模式转换效率,在条形波导和slot波导之间设计了模式转换器,光耦合效率高达98.8％,实现了光模式高效转化.利用时域有限差分法模拟了slot波导平板区掺杂浓度对波导内光学损耗的影响,在几乎不产生光学损耗的情况下,得到平板区轻掺杂浓度为71017/cm3,调制器设计总损耗为0.493 dB.利用薄膜模式匹配法对slot波导结构进行仿真分析,考虑slot区等效电容及平板区等效电阻对带宽的影响,优化后得到slot波导结构的限制因子为0.199.采用slot波导与强非线性有机材料LXM1结合的绝缘上层硅平台实现了强普克尔效应,得到电光调制器半波电压长度积为1.544 V·mm,电学响应3 dB带宽为137 GHz.
硅-有机物材料混合、槽式波导、电光调制器、马赫曾德干涉、模式转换器
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TN761.3(基本电子电路)
国家自然科学基金面上项目No.61274047、国家自然科学基金重点项目No.61435013和国家自然科学青年基金Nos.61307034,61205044资助;The General Program of National Natural Science Foundation of ChinaNo.61274047,the Key Program of National Natural Science Foundation of China No.61435013,the National Natural Science Foundation for Young Scholars of China Nos.61307034,61205044
2016-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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